تکنولوژی GAN برای شارژرها چیست؟

به بیان ساده،یک بدنه کوچک با قدرت بالا.

شارژرهای نیترید گالیوم (GaN) در نمایشگاه بین المللی لوازم الکترونیکی مصرفی سروصدای زیادی به پا کردند و این جایگزین سیلیکونی مدرن به این معنی است که شارژرها و منابع تغذیه کوچکتر و کارآمدتر در حال عرضه هستند.

شارژرهای GaN از نظر فیزیکی کوچکتر از شارژرهای فعلی هستند، زیرا شارژرهای GaN به قطعات کمتری نسبت به شارژرهای سیلیکونی نیاز ندارند. این ماده در طول زمان می تواند ولتاژهای بسیار بالاتری نسبت به سیلیکون انجام دهد. شارژرهای GaN نه تنها در انتقال جریان موثرتر هستند، بلکه به این معناست که انرژی کمتری برای گرما از دست می‌رود. بنابراین، زمانی که قطعات در انتقال انرژی به دستگاه کارایی بیشتری داشته باشند، معمولاً قطعات کمتری مورد نیاز است. در نتیجه، با محبوبیت گسترده فناوری، منابع تغذیه و شارژرهای GaN به میزان قابل توجهی کاهش می یابد. مزایای دیگری نیز وجود دارد، مانند فرکانس سوئیچینگ بالاتر که می تواند به انتقال انرژی بی سیم سریعتر برسد.

نیترید گالیم یک ماده نیمه هادی است که در دهه 1990 با ساخت LED ها مورد توجه قرار گرفت. GaN برای ایجاد اولین LED های سفید، لیزرهای آبی و نمایشگرهای LED تمام رنگی که در طول روز قابل مشاهده هستند استفاده شد. در پخش کننده های DVD Blu-ray، GaN نور آبی تولید می کند که داده ها را از DVD می خواند.

به نظر می رسد که GaN به زودی در بسیاری از زمینه ها جایگزین سیلیکون خواهد شد. سازندگان سیلیکون چندین دهه برای بهبود ترانزیستورهای مبتنی بر سیلیکون به طور خستگی ناپذیر کار کرده اند. طبق قانون مور، تعداد ترانزیستورها در مدارهای سیلیکونی یکپارچه تقریباً هر دو سال دو برابر می شود. این مشاهدات در سال 1965 انجام شد و اساساً در 50 سال گذشته صحیح بوده است. با این حال، در سال 2010، توسعه فناوری نیمه هادی برای اولین بار به زیر این سرعت رسید. بسیاری از تحلیلگران (و خود مور) پیش بینی می کنند که تا سال 2025، قانون مور منسوخ خواهد شد.

تولید ترانزیستورهای GaN در سال 2006 افزایش یافت. فرآیند تولید بهبود یافته به این معنی است که ترانزیستورهای GaN را می توان در همان نوع تجهیزاتی که سیلیکون تولید می کند، تولید کرد. این می تواند هزینه ها را کاهش دهد و بیشتر تولیدکنندگان سیلیکون را تشویق کند تا از GaN برای تولید ترانزیستور استفاده کنند.