تاریخچه توسعه ترانزیستور
Nov 02, 2019| با Schitec در شارژ ایمن بمانید
تاریخچه توسعه ترانزیستور
در 23 دسامبر 1947، در آزمایشگاه بل در موری هیل، نیوجرسی، سه دانشمند - دکتر. بدینگ، دکتر برایتون و دکتر شاولی، عصبی و روشمند آزمایش کردند. آنها در حال آزمایش با تقویت سیگنال های صوتی با کریستال های نیمه هادی در مدارهای رسانا هستند. سه دانشمند با شگفتی متوجه شدند که مقدار کمی از جریان عبوری از دستگاهی که آنها اختراع کرده‌اند می‌تواند جریان بسیار بزرگ‌تری را که از قسمت دیگر عبور می‌کند کنترل کند و در نتیجه اثر تقویتی ایجاد کند. این دستگاه یک دستاورد دوران ساز در تاریخ علم و فناوری - ترانزیستور است. از آنجا که در شب کریسمس اختراع شد و تأثیر بسیار زیادی در زندگی آینده مردم دارد، به آن "هدیه کریسمس به جهان" می گویند. بدین ترتیب این سه دانشمند برنده جایزه نوبل فیزیک در سال 1956 شدند.
[2] تحقیقات جدید نشان داده است که لایه ای از مواد متناظر را می توان در خارج از بستر در انتهای جریان خروجی الکترون ترانزیستور قرار داد تا ساختار PN خنک شده با نیمه هادی را تشکیل دهد زیرا سطح انرژی الکترونی ماده N کم است و انرژی الکترون سطح مواد P بالا است. هنگام عبور از داخل، لازم است که گرما را از زیرلایه بکشید، که راه خوبی برای اتلاف گرمای هسته ترانزیستور فراهم می کند. از آنجایی که گرمای گرفته شده متناسب با بزرگی جریان است، صنعت این را فناوری خنک کننده «خون الکترونیکی» نیز می نامد. تریودهای خنک کننده جدید، بسته به قطبیت ماده جدید اضافه شده، N-PNP یا NPN-P نامیده می شوند.
ترانزیستورها یک "انقلاب حالت جامد" را ترویج و به وجود می آورند، که به نوبه خود صنعت الکترونیک نیمه هادی را در سراسر جهان به حرکت در می آورد. به عنوان یک مؤلفه اصلی، قبل از هر چیز در ابزارهای ارتباطی به‌موقع و جهانی به کار گرفته شده است و منافع اقتصادی عظیمی را به همراه داشته است. از آنجایی که ترانزیستورها ساختار مدارهای الکترونیکی را به طور کامل تغییر داده اند، مدارهای مجتمع و مدارهای مجتمع در مقیاس بزرگ به وجود آمده اند و ساخت دستگاه های با دقت بالا مانند کامپیوترهای الکترونیکی پرسرعت به واقعیت تبدیل شده است.