زمان فلات میلر تقریباً صفر است (شکل 3 را ببینید) و کل تلفات سوئیچینگ حداقل 70٪ کاهش می یابد.
Oct 19, 2022| زمان فلات میلر تقریباً صفر است (شکل 3 را ببینید) و کل تلفات سوئیچینگ حداقل 70٪ کاهش می یابد.
همانطور که در جدول 1 نشان داده شده است، با همان RDS(ON)، نیترید گالیوم دارای ظرفیت انگلی کمتری است و Ciss و Crss به ترتیب 1/12 و 1/23 Si CoolMOS هستند که منجر به سرعت سوئیچینگ سریع‌تر می‌شود. در بازوی پل سریع BTPPFC، زمان همپوشانی جریان و ولتاژ بیش از 88 درصد کاهش می یابد (شکل 2 را ببینید). زمان فلات میلر تقریباً صفر است (شکل 3 را ببینید) و کل تلفات سوئیچینگ حداقل 70٪ کاهش می یابد.
Coss of InnoGaN کوچکتر است و خطی بودن بهتری دارد (شکل 4 را ببینید). وقتی Vds کم است، Coss GaN بسیار کوچکتر از Si MOS است و Si یک فرآیند جهش شیب خواهد داشت. از شکل موج سیستم می توان دید که تلفات همپوشانی سوئیچینگ GaN بسیار کمتر از Si MOS است و Dv/dt GaN در بخش t2-t3 کوچکتر از Si MOS است، بنابراین نویز EMI تولید شده نیز کمتر است.
