نوسان ساز کریستال کوارتز ترانزیستوری اثر میدانی
Nov 22, 2019| Shenzhen Shenchuang Hi-Tech Electronics Co., Ltd (SChitec) یک شرکت فناوری پیشرفته است که در تولید و فروش لوازم جانبی تلفن تخصص دارد. محصولات اصلی ما شامل شارژر مسافرتی، شارژر ماشین، کابل USB، پاور بانک و سایر محصولات دیجیتال است. همه محصولات ایمن و قابل اعتماد هستند، با سبک های منحصر به فرد. , اگر علاقه مند هستید، می توانید مستقیماً با ceo@schitec.com تماس بگیرید.
با Schitec در شارژ ایمن بمانید
نوسان ساز کریستال کوارتز ترانزیستوری اثر میدانی
نمودار مدار نوسان ساز کریستال کوارتز ترانزیستوری اثر میدانی در شکل نشان داده شده است.
نوسان ساز در کریستال 51 مگاهرتز (17 مگاهرتز هارمونیک سوم) کار می کند. با توجه به ساختار مختلف، 0.5-1.8pf را می توان به عنوان ظرفیت بین تخلیه و گیت انتخاب کرد. چرخش L2 حدود 20٪ از L1 است. ویژگی های نوسان را می توان با مقاومت منبع 470 اهم تغییر داد.
① ظرفیت بین قطب. سه خازن بین الکترودی در FET وجود دارد که عبارتند از CGS خازنی منبع دروازه، CGD خازن تخلیه دروازه و سی دی خازن تخلیه منبع. CGS و CGD معمولاً {{0}}pf هستند و سی دی ها حدود ۰1-1pf هستند.
② حداکثر جریان نشتی IDM.
این به حداکثر جریان مجاز برای عبور از منبع تخلیه FET اشاره دارد.
③ توان اتلاف PD FET.
به توان تلف شده هنگام کار FET اشاره دارد.
④ ضریب نویز فرکانس پایین NF.
صدای FET ناشی از بی نظمی حرکت حامل است. وجود آن باعث تقویت کننده می شود حتی اگر سیگنال ورودی وجود نداشته باشد، تغییرات نامنظمی در ولتاژ یا جریان خروجی وجود خواهد داشت. ضریب نویز فرکانس پایین FET کوچکتر از ضریب نویز نیمه هادی است.


