ترانزیستور اثر میدانی

Shenzhen Shenchuang Hi-Tech Electronics Co., Ltd (SChitec) یک شرکت فناوری پیشرفته است که در تولید و فروش لوازم جانبی تلفن تخصص دارد. محصولات اصلی ما شامل شارژر مسافرتی، شارژر ماشین، کابل USB، پاور بانک و سایر محصولات دیجیتال است. همه محصولات ایمن و قابل اعتماد هستند، با سبک های منحصر به فرد. , اگر علاقه مند هستید، می توانید مستقیماً با ceo@schitec.com تماس بگیرید. 

با Schitec در شارژ ایمن بمانید

ترانزیستور اثر میدانی

منظور از "اثر میدان" این است که اصل کار این ترانزیستور بر اساس اثر میدان الکتریکی نیمه هادی است.

ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستوری که بر اساس اصل اثر میدانی کار می کند. ترانزیستورهای اثر میدانی به نوبه خود شامل دو نوع اصلی هستند: FET های اتصالی (JFET) و FET های نیمه هادی اکسید فلزی (MOS-FET). بر خلاف BJT، FET ها تنها توسط یک نوع حامل (حامل اکثریت) رسانای الکتریکی هستند و به همین دلیل ترانزیستورهای تک قطبی نیز نامیده می شوند. این متعلق به یک دستگاه نیمه هادی کنترل شده با ولتاژ است و دارای مزایای مقاومت ورودی بالا، نویز کم، مصرف انرژی کم، محدوده دینامیکی زیاد، یکپارچه سازی آسان، بدون خرابی ثانویه و منطقه کاری وسیع است.

اثر میدان تغییر جهت یا بزرگی میدان الکتریکی اعمال شده عمود بر سطح نیمه هادی برای کنترل چگالی یا نوع اکثر حامل ها در لایه (کانال) نیمه هادی است. این یک جریان مدوله شده با ولتاژ در کانال است که جریان عملیاتی آن توسط اکثر حامل ها در نیمه هادی منتقل می شود. چنین ترانزیستوری که در آن فقط یک نوع حامل قطبی در رسانش شرکت می کند ترانزیستور تک قطبی نیز نامیده می شود. در مقایسه با ترانزیستورهای دوقطبی، ترانزیستورهای اثر میدان دارای ویژگی‌های امپدانس ورودی بالا، نویز کم، فرکانس محدود بالا، مصرف انرژی کم، فرآیند ساخت ساده و ویژگی‌های دمایی خوب هستند. آنها به طور گسترده در مدارهای تقویت کننده مختلف، مدارهای دیجیتال و مدارهای مایکروویو استفاده می شوند. صبر کن. ترانزیستورهای اثر میدانی فلزی مبتنی بر سیلیکون 0-ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید-نیمه هادی (MOSFET) و ترانزیستورهای اثر میدان مانع شاتکی مبتنی بر آرسنید گالیم (MESFET) دو مهم ترین ترانزیستورهای اثر میدانی هستند. آنها دستگاه های اصلی مدارهای مجتمع فوق سریع MOS LSI و MES هستند.