سرکوب EMI منبع تغذیه سوئیچینگ برای باندهای فرکانس مختلف

در طراحی منبع تغذیه سوئیچینگ، EMI قطعا بخش بسیار مهمی است. بسیاری از توسعه دهندگان با مشکل تداخل الکترومغناطیسی دست و پنجه نرم می کنند تا آزمایش را با موفقیت پشت سر بگذارند. با این حال، EMI در مدار بسیار پیچیده است و فرکانس تداخل یکسان نیست. برخی از اغتشاشات پایین تنها به چند تنظیم جزئی نیاز دارند، در حالی که برخی از اغتشاشات بزرگتر به رویکردی چندوجهی نیاز دارند. در این مقاله، روش سرکوب EMI برای سوئیچینگ منبع تغذیه برای باندهای فرکانسی مختلف معرفی شده است.

1 مگاهرتز

در 1 مگاهرتز، عمدتا به دلیل تداخل حالت دیفرانسیل. راه حل به شرح زیر است:

ولتاژ ظرفیت X را افزایش می دهد.

افزودن اندوکتانس حالت دیفرانسیل.

منبع تغذیه هوشمند را می توان با فیلتر PI پردازش کرد (توصیه می شود خازن های الکترولیتی نزدیک به ترانسفورماتور بزرگتر انتخاب شوند).

1 مگاهرتز - 5 مگاهرتز

1 مگاهرتز-5مگاهرتز، ترکیب حالت مشترک حالت دیفرانسیل، یک سری خازن X که به صورت موازی در انتهای ورودی متصل شده اند برای فیلتر کردن تداخل دیفرانسیل و تجزیه و تحلیل اینکه کدام نوع تداخل خارج از تحمل است استفاده می شود و مشکل را حل می کند:

ظرفیت توان X را می توان با تداخل حالت تفاوت تنظیم کرد و سلف های حالت اختلاف را می توان برای تنظیم اندوکتانس حالت تفاوت اضافه کرد.

اندوکتانس حالت مشترک را می توان اضافه کرد تا از استاندارد تداخل حالت رایج فراتر رود، و اندوکتانس معقول را می توان برای مهار انتخاب کرد.

این دستگاه همچنین می تواند ویژگی های دیود یکسو کننده، یک جفت دیود سریع مانند FR107 و یک جفت دیود یکسو کننده معمولی 1N4007 را تغییر دهد.

بیش از 5 مگاهرتز

تداخل لمس مشترک عمدتا بیش از 5M است و روش سرکوب لمس مشترک اتخاذ شده است. برای کیس متصل به زمین، یک سری حلقه مغناطیسی اطراف 2-3 روی سیم زمین، تداخل بالای 10 مگاهرتز را به میزان قابل توجهی کاهش می‌دهد. می تواند نزدیک به ترانسفورماتور از فویل مس چسب هسته آهن، فویل مس حلقه بسته. اندازه ظرفیت شنت جاذب و مدارهای بزرگ اولیه برای پردازش یکسو کننده خروجی انتهای عقب.

20-30 مگاهرتز

سوئیچ می تواند ظرفیت خازن زمین Y2 را تنظیم کند یا موقعیت خازن Y2 را تغییر دهد.

موقعیت ظرفیت خازنی Y1 و مقادیر پارامتر بین طرف اول و دوم توسط حاشیه تنظیم می شود.

نان فویل مسی در خارج از ترانسفورماتور؛ داخلی ترین لایه ترانسفورماتور محافظ است. ترتیب سیم پیچ های ترانسفورماتور را تنظیم کنید.

چهارچوب تغییر PCBLAYOUT;

زخم اندوکتانس حالت مشترک کوچک با یک خط دوتایی در جلوی خط خروجی اصلی.

یک فیلتر RC در هر دو انتهای لوله یکسو کننده خروجی موازی است و پارامترهای معقول تنظیم می شوند.

در این لحظه، BEADCORE بین ترانسفورماتور و ماسفت اضافه می شود.

یک خازن کوچک را روی پایه ولتاژ ورودی ترانسفورماتور اعمال کنید.

جریان را می توان توسط یک مقاومت بزرگ MOS هدایت کرد.